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      深圳市英瑞爾芯科技有限公司

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    STGIB15CH60TS-L

    產品簡介:

    制造商STMicroelectronics壽命周期在售類型IGBT電流20A電壓600V電壓 - 隔離1500Vrms封裝/外殼26-PowerDIP 模塊(1.134",28.80mm)RoHS是產品IGBT Silicon Modules配置3-Phase Inverter集電極—發射極最大電壓 VCEO600 V集電極—射極飽和電壓1.6 V在25 C的連續集電極電流15 APd-功率耗散7

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    產品介紹

    制造商STMicroelectronics
    壽命周期在售
    類型IGBT
    電流20A
    電壓600V
    電壓 - 隔離1500Vrms
    封裝/外殼26-PowerDIP 模塊(1.134",28.80mm)
    RoHS
    產品IGBT Silicon Modules
    配置3-Phase Inverter
    集電極—發射極最大電壓 VCEO600 V
    集電極—射極飽和電壓1.6 V
    在25 C的連續集電極電流15 A
    Pd-功率耗散75 W
    封裝 / 箱體SDIP2B-26L
    最大工作溫度+ 125 C
    高度3.5 mm
    長度38 mm
    最小工作溫度- 40 C
    安裝風格Through Hole
    工作溫度范圍- 40 C to + 125 C
    系列SLLIMM
    工廠包裝數量156
    寬度24 mm
    相關標簽:MOS管,STGIB15CH60TS-L,

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