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      深圳市英瑞爾芯科技有限公司

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    STFW3N150

    產品簡介:

    RoHS是技術Si安裝風格Through Hole封裝 / 箱體TO-3PF-3通道數量1 Channel晶體管極性N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓1500 VId-連續漏極電流2.5 ARds On-漏源導通電阻9 Ohms配置SinglePd-功率耗散63 W系列N-channel MDmesh工廠包裝數量50晶體管類型1 N-Channel單位重量7 g制造商STMicroelect

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    產品介紹

    RoHS
    技術Si
    安裝風格Through Hole
    封裝 / 箱體TO-3PF-3
    通道數量1 Channel
    晶體管極性N-Channel
    Vds-漏源極擊穿電壓1500 V
    Id-連續漏極電流2.5 A
    Rds On-漏源導通電阻9 Ohms
    配置Single
    Pd-功率耗散63 W
    系列N-channel MDmesh
    工廠包裝數量50
    晶體管類型1 N-Channel
    單位重量7 g
    制造商STMicroelectronics
    包裝方式管件
    壽命周期在售
    FET 類型N 溝道
    漏源電壓(Vdss)1500V
    電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)2.5A(Tc)
    驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)29.3nC @ 10V
    Vgs(最大值)±30V
    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)939pF @ 25V
    功率耗散(最大值)63W(Tc)
    不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)9 歐姆 @ 1.3A,10V
    工作溫度范圍150°C(TJ)
    安裝類型通孔
    封裝/外殼TO-3P-3 整包
    相關標簽:MOS管,STFW3N150,

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