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深圳市英瑞爾芯科技有限公司
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產品簡介：
RoHS是技術Si安裝風格Through Hole封裝 / 箱體TO-3PF-3通道數量1 Channel晶體管極性N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓1500 VId-連續漏極電流2.5 ARds On-漏源導通電阻9 Ohms配置SinglePd-功率耗散63 W系列N-channel MDmesh工廠包裝數量50晶體管類型1 N-Channel單位重量7 g制造商STMicroelect
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產品介紹
| RoHS | 是 |
|---|---|
| 技術 | Si |
| 安裝風格 | Through Hole |
| 封裝 / 箱體 | TO-3PF-3 |
| 通道數量 | 1 Channel |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 1500 V |
| Id-連續漏極電流 | 2.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻 | 9 Ohms |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| 工廠包裝數量 | 50 |
| 晶體管類型 | 1 N-Channel |
| 單位重量 | 7 g |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 包裝方式 | 管件 |
| 壽命周期 | 在售 |
| FET 類型 | N 溝道 |
| 漏源電壓（Vdss） | 1500V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） | 2.5A（Tc） |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 29.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） | 939pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） | 9 歐姆 @ 1.3A，10V |
| 工作溫度范圍 | 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-3P-3 整包 |
上一條：STGIB15CH60TS-L
